5 tk IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220

Name: 5 tk IRF540N MOSFET transistor 100V 33A 130W TO220
Brand: satkit
SKU: 1C090203
Price: 1.71 EUR
Availability: InStock

Kaubamärk: satkit

Ole esimene, kes selle toote kohta arvustuse kirjutab

1,71€

Käibemaks sisaldub (KM-ta: 1,40€)

Laos - Saadetakse kohe

Standardtarne N, Apr 23 - E, Apr 27

Ekspresstarne T, Apr 21 - K, Apr 22

30-päevane tagastus

Kogus

Tasuta tagastus 30 päeva jooksul

Turvaline tehing

Tasuta tarne Tarne alates 4,99€

Lihtne tagastamine 30-päevane tagastusõigus

Turvaline makse 100% turvaline kassaprotsess

Kvaliteedigarantii Ainult originaaltooted

5 tk IRF540N MOSFET Transistor 100V 33A 130W TO220 komplekt on N-kanali MOSFET-transistoride komplekt, mis on loodud elektroonikarakendusteks, mis vajavad suurt tõhusust ning voolu ja pinge käsitlemise võimekust.

Peamised omadused:

Kategooria: N-kanali MOSFET
Maksimaalne pinge: 100V
Maksimaalne vool: 33A
Sisemine takistus (Rds(on)): 44mΩ
Värava pinge: 20V
Lülitusaeg: 35ns (tõus ja langus)
Võimsuse hajutamine: 130W
Korpus: TO-220
Töötemperatuuri vahemik: -55°C a 175°C

Tüüpilised kasutusalad:

Elektrimootorite juhtimine DIY- ja professionaalsetes projektides.
Võimsusvõimendid ja lülitustoiteallikad.
Elektroonilised lülitid suure vooluga koormustele.
Rakendused robootikas ja sisseehitatud süsteemides, mis vajavad suurt tõhusust.

Ühilduvus: See transistor ühildub vooluringidega, mis töötavad selle elektriliste spetsifikatsioonide piires, eriti projektides, mis vajavad N-kanali MOSFET-i suure voolu- ja pingetaluvusega.

See 5 ühiku komplekt võimaldab varuosi või mitme vooluringi samaaegset rakendamist, tagades usaldusväärse ja pikaajalise töö tänu TO-220 korpusele, mis hõlbustab soojuse hajutamist.

5 tk IRF540N N-kanali MOSFET transistorid
Maksimaalne pinge 100V nõudlikeks rakendusteks
Maksimaalne vool 33A suure koormuse jaoks
Madal sisemine takistus 44mΩ tõhususe tagamiseks
130W võimsuse hajutamine pikemaks kasutuseks
TO-220 korpus paremaks soojuse hajutamiseks
Kiire lülitusaeg 35ns
Töötemperatuur -55°C kuni 175°C

Klientide küsimused ja vastused

Milliseid paigaldusettevaatusabinõusid tuleb järgida, et vältida IRF540N ülekuumenemisest või ülevoolust tingitud kahjustusi?

Kahjustuste vältimiseks on oluline tagada korralik soojuse ärajuhtimine, kasutades sobivat jahutusradiaatorit, kui hajuvus ületab 2 W, ning järgida piire: max 100 V äravoolu ja allika vahel, 33 A pidevalt ja 130 W võimsust. Lisaks tuleb vältida 20 V väravapinget ületavaid tippe ja kaitsta komponenti enne paigaldamist elektrostaatiliste laengute eest.

Milliste juhtsignaalide ja loogikaahelatega on IRF540N värav ühilduv?

IRF540N vajab tavaliselt vähemalt 10 V väravapinget, et juhtida tõhusalt, kuigi see võib hakata avanema juba 2–4 V juures (Vgs(th)). See töötab hästi MOSFET-draiverite või sobitusastmega loogikaahelatega; seda ei soovitata ühendada otse 3.3 V mikrokontrolleritega ilma vahepealse driverita.

Millist kaitset või ohutusnorme peaksid need MOSFETid tööstussüsteemides järgima?

Tööstussüsteemides peab paigaldus arvestama ülekoormuskaitset (kaitsmed või kaitselülitid), transientide summutamist (flyback-dioodid või varistorid) ning vastama standarditele nagu IEC 60950 (elektriohutus) ja ESD (kaitse elektrostaatiliste laengute vastu), et tagada ohutu töö ja komponendi vastupidavus.

Milleks IRF540N MOSFET transistor sobib?

IRF540N on N-kanali MOSFET-transistor, mida kasutatakse suure voolu ja pingega elektrikoormuste juhtimiseks elektroonikavooluringides, näiteks mootorites, võimendites ja toiteallikates.

Mitu ühikut see komplekt sisaldab?

See komplekt sisaldab 5 IRF540N MOSFET-transistorit.

Mis korpuses on IRF540N?

IRF540N on TO-220 korpuses, mis hõlbustab soojuse hajutamist ja paigaldamist vooluringidesse.

Mis on selle transistori maksimaalne pinge ja vool?

Transistor talub maksimaalset pinget 100V ja maksimaalset voolu 33A.

Kas see sobib projektidele, mis vajavad suurt võimsuse hajutamist?

Jah, selle transistori maksimaalne võimsuse hajutamine on 130W, mis sobib kõrge võimsusega rakendusteks.